Name: IAUCN10S7N021ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND
Price: 47.625 NOK
Availability: InStock

IAUCN10S7N021ATMA1
cms-digikey-product-number	448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IAUCN10S7N021ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IAUCN10S7N021ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IAUCN10S7N021ATMA1
cms-description	MOSFET_(75V 120V(
cms-standard-lead-time	35 Uker
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanal 100 V 175A (Tj) 217W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-53
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	IAUCN10S7N021ATMA1 Modeller

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	175A (Tj)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	7V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	2,1mOhm ved 88A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3,2V ved 130µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	105 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	7153 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	217W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-53
Kapsling	8-PowerTDFN

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 38,10000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 47,62500

IAUCN10S7N021ATMA1