Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 11.4375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSZ180P03NS3EGATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSZ180P03NS3EGATMA1
Beskrivelse	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Produsentens standard leveringstid	52 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 30 V 9A (Ta), 39,5A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ180P03NS3EGATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	9A (Ta), 39,5A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	18mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.1V ved 48µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	30 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±25V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2220 pF @ 15 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,1W (Ta), 40W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSDSON-8
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	BSZ180