Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 13.2125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSZ180P03NS3EGATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSZ180P03NS3EGATMA1
Beskrivelse	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 30 V 9A (Ta), 39,5A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ180P03NS3EGATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3.1V ved 48µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 30 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±25V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 2220 pF @ 15 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 2,1W (Ta), 40W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 30 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TSDSON-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 9A (Ta), 39,5A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 6V, 10V	Baseproduktnummer BSZ180
Rds på (maks) ved Id, Vgs 18mOhm ved 20A, 10V