Name: BSZ120P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 13.1875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSZ120P03NS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSZ120P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSZ120P03NS3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Produsentens standard leveringstid	14 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 52W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ120P03NS3GATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	11A (Ta), 40A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	12mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.1V ved 73µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	45 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±25V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3360 pF @ 15 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,1W (Ta), 52W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSDSON-8
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	BSZ120