Name: BSZ123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 22.6125 NOK
Availability: OutOfStock

BSZ123N08NS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSZ123N08NS3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSZ123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSZ123N08NS3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 66W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ123N08NS3GATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	80 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	10A (Ta), 40A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	12.3mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.5V ved 33µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	25 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1700 pF @ 40 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,1W (Ta), 66W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSDSON-8
Kapsling	8-PowerVDFN
Baseproduktnummer	BSZ123

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
5 000	kr 4,71398	kr 23 569,90
10 000	kr 4,63963	kr 46 396,30

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 18,09000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 22,61250

BSZ123N08NS3GATMA1