Name: BSZ067N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND
Price: 25.375 NOK
Availability: OutOfStock

BSZ067N06LS3GATMA1 er ikke på lager og kan bestilles/legges inn som restordrenotering.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

Diodes Incorporated

På lager: 153

Enhetspris : kr 14,05000

Similar

Diodes Incorporated

På lager: 15 634

Enhetspris : kr 12,51000

Similar

Diodes Incorporated

På lager: 310

Enhetspris : kr 12,41000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSZ067N06LS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSZ067N06LS3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSZ067N06LS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSZ067N06LS3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 14A (Ta), 79A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ067N06LS3GATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 3
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Ikke for nye utførelser
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	14A (Ta), 79A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	6.7mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.2V ved 35µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	67 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	5100 pF @ 30 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSDSON-8
Kapsling	8-PowerVDFN
Baseproduktnummer	BSZ067