Name: BSZ018NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ018NE2LSATMA1TR-ND
Price: 23.625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSZ018NE2LSATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ018NE2LSATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSZ018NE2LSATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSZ018NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSZ018NE2LSATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 25 V 23A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8-FL
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ018NE2LSATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 250µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 39 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 2800 pF @ 12 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 25 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TSDSON-8-FL
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 23A (Ta), 40A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer BSZ018
Rds på (maks) ved Id, Vgs 1.8mOhm ved 30A, 10V