Name: BSS806NEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS806NEH6327XTSA1TR-ND
Price: 5.5 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSS806NEH6327XTSA1
DigiKeys produktnummer	BSS806NEH6327XTSA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSS806NEH6327XTSA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSS806NEH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSS806NEH6327XTSA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Produsentens standard leveringstid	35 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 20 V 2,3A (Ta) 500mW (Ta) Overflatemontering PG-SOT23
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSS806NEH6327XTSA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 1.7 nC @ 2.5 V
Produsent Infineon Technologies	Vgs (maks) ±8V
Serie HEXFET®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 529 pF @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 500mW (Ta)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 20 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 2,3A (Ta)	Leverandørens enhetsforpakning PG-SOT23
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 1,8V, 2,5V	Kapsling TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds på (maks) ved Id, Vgs 57mOhm ved 2.3A, 2.5V	Baseproduktnummer BSS806
Vgs(th) (maks) ved Id 750mV ved 11µA

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 127 073

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)