N-kanal, utarmingsmodus 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Overflatemontering PG-SOT223-4-21
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSP149L6327

DigiKeys produktnummer
2156-BSP149L6327-ND
Produsent
Infineon Technologies
Produsentens produktnummer
BSP149L6327
Beskrivelse
N-CHANNEL POWER MOSFET
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal, utarmingsmodus 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Overflatemontering PG-SOT223-4-21
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Infineon Technologies
Serie
SIPMOS®
Emballasje
Bulk
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal, utarmingsmodus
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
660mA (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
0V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
1.8Ohm ved 660mA, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
1V ved 400µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
14 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
430 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
1,8W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-SOT223-4-21
Kapsling
TO-261-4, TO-261AA
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 1 910
Kan ikke avbestilles / kan ikke returneres
MARKEDSPLASS-PRODUKT
Sendes om ca. 10 dager fra Rochester Electronics LLC
Et eget fastpris-fraktgebyr på kr 875,49 vil påløpe
Antall
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
545kr 5,29143kr 2 883,83
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 5,29143
Enhetspris med merverdiavgift:kr 6,61429
1 Varer
BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

Infineon Technologies

kr 16,16000