Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1TR-ND
Price: 19.225 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSP149H6327XTSA1
DigiKeys produktnummer	BSP149H6327XTSA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSP149H6327XTSA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSP149H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSP149H6327XTSA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Produsentens standard leveringstid	8 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal, utarmingsmodus 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Overflatemontering PG-SOT223-4
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSP149H6327XTSA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal, utarmingsmodus
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	660mA (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	0V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.8Ohm ved 660mA, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	1V ved 400µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	14 nC @ 5 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	430 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	1,8W (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-SOT223-4
Kapsling	TO-261-4, TO-261AA
Baseproduktnummer	BSP149