Name: BSC098N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC098N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 22.4875 NOK
Availability: InStock

BSC098N10NS5ATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC098N10NS5ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSC098N10NS5ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSC098N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSC098N10NS5ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 60A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-7
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC098N10NS5ATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	60A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	9.8mOhm ved 30A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.8V ved 36µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	28 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2100 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-7
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	BSC098

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
5 000	kr 4,67357	kr 23 367,85
10 000	kr 4,59393	kr 45 939,30

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 17,99000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 22,48750

BSC098N10NS5ATMA1