Name: BSC0502NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0502NSIATMA1TR-ND
Price: 22.925 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSC0502NSIATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC0502NSIATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSC0502NSIATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSC0502NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSC0502NSIATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 26A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 43W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-6
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC0502NSIATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 250µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 26 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1600 pF @ 15 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 43W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 30 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TDSON-8-6
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 26A (Ta), 100A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer BSC0502
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2.3mOhm ved 30A, 10V