Name: BSC0501NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC0501NSIATMA1TR-ND
Price: 25.4875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSC0501NSIATMA1
DigiKeys produktnummer	448-BSC0501NSIATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-BSC0501NSIATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-BSC0501NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSC0501NSIATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-6
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 250µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 33 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 2200 pF @ 15 V
Delestatus Aktiv	FET-egenskap Schottky-diode (hoveddel)
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 30 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 29A (Ta), 100A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TDSON-8-6
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling 8-PowerTDFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 1.9mOhm ved 30A, 10V	Baseproduktnummer BSC0501