Name: BSC018NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC018NE2LSATMA1TR-ND
Price: 19.725 NOK
Availability: InStock

BSC018NE2LSATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC018NE2LSATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSC018NE2LSATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSC018NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSC018NE2LSATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC018NE2LSATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	25 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	29A (Ta), 100A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.8mOhm ved 30A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	39 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2800 pF @ 12 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-1
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	BSC018

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
5 000	kr 3,91222	kr 19 561,10
10 000	kr 3,74129	kr 37 412,90

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 15,78000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 19,72500

BSC018NE2LSATMA1