30 V N-kanals MOSFET SISD5300DN

Allsidig 30 V N-kanals TrenchFET® Gen V Power MOSFET fra Vishay har source flip-teknologi i en PowerPAK® 1212-F-kapsling på 3,3 x 3,3 mm. SiSD5300DN har samme monteringsflate som PowerPAK 1212-8S, og tilbyr 18 % lavere på-motstand for å øke effekttettheten, mens source flip-teknologien reduserer termisk motstand med +63 °C/W til +56 °C/W. I tillegg representerer MOSFET-enhetens kvalitetstall (FOM – figure of merit) en forbedring på 35 % i forhold til tidligere generasjoner av MOSFET-enheter, noe som betyr reduserte lednings- og koblingstap og dermed energibesparelser i utrustninger for strømomforming.

Source flip-teknologien i PowerPAK1212-F snur om på de vanlige proporsjonene mellom kontaktflatene for jord- og source og øker overflaten på kontaktflaten for jord, for å gi en mer effektiv varmeavledningsbane og dermed kjøligere drift. Samtidig minimerer PowerPAK 1212-F omfanget av vekslingsområdet, noe som bidrar til å redusere virkningen av støy i kretskortbanene. Spesielt i PowerPAK 1212-F-kapslingen øker dimensjonen på source-platen med en faktor på 10, fra 0,36 mm til 4,13 mm, noe som gir en tilsvarende forbedring i termisk ytelse. Senter-gate-konstruksjonen på PowerPAK1212-F forenkler også parallell bruk av flere enheter på ett enkeltlags kretskort (PCB).