NovuSem Enkle FET-er, MOSFET-er

Resultater : 3
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Ekskludér
3Resultater
Brukte filtre Fjern alt

Viser
av 3
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
Effekttap (maks)
Driftstemperatur
Monteringstype
Leverandørens enhetsforpakning
Kapsling
NC1M120C12WDCU
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
NovuSem
218
Markedsplass
218 : kr 672,21087
Brett
Brett
Aktiv
-
SiCFET (silisiumkarbid)
1200 V
214A (Tc)
20V
12mOhm ved 20A, 20V
3,5V ved 40mA
+22V, -8V
8330 pF @ 1000 V
-
-
Overflatemontering
Skive
Pressform
NC1M120C12WCNG
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
NovuSem
218
Markedsplass
218 : kr 492,29798
Brett
Brett
Aktiv
-
SiCFET (silisiumkarbid)
-
214A (Tc)
20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
NC1M120C12HTNG
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
NovuSem
0
Markedsplass
Aktiv
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (silisiumkarbid)
1200 V
47A (Tc)
20V
75mOhm ved 20A, 20V
2,8V ved 5mA
+20V, -5V
1450 pF @ 1000 V
288W (Ta)
-55°C – 175°C (TJ)
Gjennomgående hull
TO-247-4L
TO-247-4
Viser
av 3

Enkelt FET, MOSFET-er


Enkle felteffekttransistorer (FET-er) og metalloksidhalvleder-felteffekttransistorer (MOSFET-er) er transistor-typer som brukes til å forsterke eller veksle elektroniske signaler.

En enkelt FET fungerer ved å styre den elektriske strømflyten mellom source- og drain-terminalene gjennom et elektrisk felt generert av en spenning som påføres gate-terminalen. Hovedfordelen med FET-er er deres høye inngangsimpedans, noe som gjør dem ideelle for bruk innen signalforsterkning og i analoge kretser. De brukes ofte i utrustninger som forsterkere, oscillatorer og buffer-trinn i elektroniske kretser.

MOSFET-er, en undertype av FET-er, har en gate-terminal isolert fra kanalen med et tynt oksidlag, noe som forbedrer ytelsen og gjør dem svært effektive. MOSFET-er kan videre kategoriseres i to typer:

MOSFET-er er foretrukket i mange utrustninger takket være deres lave strømforbruk, høyhastighets veksling og evne til å håndtere store strømmer og spenninger. De er avgjørende i digitale og analoge kretser, inkludert strømforsyninger, motordrivere og radiofrekvensutrustninger.

Driften av MOSFET-er kan deles inn i to moduser:

  • Anrikningsmodus: I denne modusen er MOSFET-en vanligvis av når gate-source-spenningen er null. Den krever en positiv gate-source-spenning (for n-kanal) eller en negativ gate-source-spenning (for p-kanal) for å slå seg på.
  • Utarmingsmodus: I denne modusen er MOSFET-en vanligvis på når gate-source-spenningen er null. Å bruke en gate-source-spenning med motsatt polaritet kan slå den av.

MOSFET-er tilbyr flere fordeler, for eksempel:

  1. Høy virkningsgrad: De bruker svært lite strøm og kan raskt bytte tilstand, noe som gjør dem svært effektive for strømstyringsutrustninger.
  2. Lav motstand: De har lav motstand når de er slått på, noe som minimerer strømtap og varmeutvikling.
  3. Høy inngangsimpedans: Den isolerte gate-strukturen resulterer i ekstremt høy inngangsimpedans, noe som gjør dem ideelle for signalforsterkning med høy impedans.

For å oppsummere er enkelte FET-er, spesielt MOSFET-er, grunnleggende komponenter i moderne elektronikk. De er kjent for sin virkningsgrad, hastighet og allsidighet i et bredt spekter av utrustninger, fra signalforsterkning med lav effekt til veksling og styring med høy effekt.