XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | Diskrete halvlederprodukter

XP3R303GMT-L er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

På lager: 0

Enhetspris : kr 1,35062

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

XP3R303GMT-L
DigiKeys produktnummer	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - Tape og spole (TR) 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - Båndavsnitt (CT) 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	YAGEO XSEMI
Produsentens produktnummer	XP3R303GMT-L
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 31A (Ta), 105A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) Overflatemontering PMPAK® 5 x 6
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	YAGEO XSEMI
Serie	XP3R303
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	31A (Ta), 105A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	3.3mOhm ved 30A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	21 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2240 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	5W (Ta), 56,8W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PMPAK® 5 x 6
Kapsling	8-PowerLDFN