Name: SUM110N10-09-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110N10-09-E3TR-ND
Price: 73.2 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SUM110N10-09-E3
DigiKeys produktnummer	SUM110N10-09-E3TR-ND - Tape og spole (TR) SUM110N10-09-E3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SUM110N10-09-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SUM110N10-09-E3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Produsentens standard leveringstid	38 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 110A (Tc) 3,75W (Ta), 375W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 160 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 6700 pF @ 25 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 3,75W (Ta), 375W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100 V	Leverandørens enhetsforpakning TO-263 (D2PAK)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 110A (Tc)	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer SUM110
Rds på (maks) ved Id, Vgs 9.5mOhm ved 30A, 10V