SQM40010EL_GE3 Vishay Siliconix | Enkle FET-er, MOSFET-er

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQM40010EL_GE3
DigiKeys produktnummer	SQM40010EL_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SQM40010EL_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SQM40010EL_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQM40010EL_GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 230 nC @ 10 V
Produsent Vishay Siliconix	Vgs (maks) ±20V
Serie TrenchFET®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 17100 pF @ 20 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 375W (Tc)
Delestatus Utdatert	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 40 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 120A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning TO-263 (D2PAK)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Rds på (maks) ved Id, Vgs 1.6mOhm ved 30A, 10V	Baseproduktnummer SQM40010
Vgs(th) (maks) ved Id 2.5V ved 250µA

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

Erstatninger (3)

Delenummer	Produsent	Antall tilgjengelig	DigiKeys produktnummer	Enhetspris	Type erstatning
SQJ138ELP-T1_GE3	Vishay Siliconix	4 714	742-SQJ138ELP-T1_GE3CT-ND	kr 20,96000	MFR Recommended
IPB120N04S401ATMA1	Infineon Technologies	1 611	IPB120N04S401ATMA1CT-ND	kr 36,02000	Similar
IRFS7437TRLPBF	Infineon Technologies	5 870	IRFS7437TRLPBFCT-ND	kr 23,67000	Similar