Name: SQJ912DEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND
Price: 19.85 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQJ912DEP-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQJ912DEP-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Produsentens standard leveringstid	32 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 40V 30A (Tc) 27W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8 dobbel
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJ912DEP-T1_GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon	2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap	-
Drain til Source-spenning	40V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	30A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs	7,3mOhm ved 7A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	36nC ved 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	-
Effekt - maks	27W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Kapsling	PowerPAK® SO-8 dobbel
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® SO-8 dobbel
Baseproduktnummer	SQJ912