Name: SQJ476EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ476EP-T1_GE3TR-ND
Price: 16.725 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQJ476EP-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQJ476EP-T1_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SQJ476EP-T1_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SQJ476EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQJ476EP-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Produsentens standard leveringstid	22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 23A (Tc) 45W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 20 nC @ 10 V
Produsent Vishay Siliconix	Vgs (maks) ±20V
Serie TrenchFET®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 700 pF @ 25 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 45W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 23A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® SO-8
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling PowerPAK® SO-8
Rds på (maks) ved Id, Vgs 38mOhm ved 10A, 10V	Baseproduktnummer SQJ476
Vgs(th) (maks) ved Id 2.5V ved 250µA

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 15 918

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)