Name: SQJ422EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ422EP-T1_GE3TR-ND
Price: 30.4 NOK
Availability: OutOfStock

SQJ422EP-T1_GE3 er ikke på lager og kan bestilles/legges inn som restordrenotering.

Tilgjengelige erstatninger:

Direkte

Vishay Siliconix

På lager: 8 540

Enhetspris : kr 22,61000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQJ422EP-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQJ422EP-T1_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SQJ422EP-T1_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SQJ422EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQJ422EP-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJ422EP-T1_GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	74A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	3.4mOhm ved 18A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	100 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	5000 pF @ 20 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	83W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® SO-8
Kapsling	PowerPAK® SO-8
Baseproduktnummer	SQJ422