Name: SQJ110EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ110EP-T1_GE3TR-ND
Price: 30.75 NOK
Availability: OutOfStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQJ110EP-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	742-SQJ110EP-T1_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SQJ110EP-T1_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SQJ110EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQJ110EP-T1_GE3
Beskrivelse	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Produsentens standard leveringstid	39 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 170A (Tc) 500 A (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJ110EP-T1_GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3.5V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 113 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 6100 pF @ 25 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 500 A (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Grad Bilteknikk
Drain til Source-spenning 100 V	Godkjenning AEC-Q101
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 170A (Tc)	Monteringstype Overflatemontering
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® SO-8
Rds på (maks) ved Id, Vgs 6.3mOhm ved 15A, 10V	Kapsling PowerPAK® SO-8