Name: SQD50N06-09L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N06-09L_GE3TR-ND
Price: 73.375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQD50N06-09L_GE3
DigiKeys produktnummer	SQD50N06-09L_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SQD50N06-09L_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SQD50N06-09L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQD50N06-09L_GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Produsentens standard leveringstid	25 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQD50N06-09L_GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	50A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	9mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	72 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3065 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	136W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	TO-252AA
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer	SQD50