Name: SQ4182EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4182EY-T1_GE3TR-ND
Price: 30.05 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQ4182EY-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQ4182EY-T1_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SQ4182EY-T1_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SQ4182EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQ4182EY-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
Produsentens standard leveringstid	20 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 32A (Tc) 7,1W (Tc) Overflatemontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQ4182EY-T1_GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 110 nC @ 10 V
Produsent Vishay Siliconix	Vgs (maks) ±20V
Serie TrenchFET®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 5400 pF @ 15 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 7,1W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 30 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 32A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning 8-SOIC
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Rds på (maks) ved Id, Vgs 3.8mOhm ved 14A, 10V	Baseproduktnummer SQ4182
Vgs(th) (maks) ved Id 2.5V ved 250µA