SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQ2303ES-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQ2303ES-T1_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SQ2303ES-T1_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SQ2303ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQ2303ES-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 30 V 2,5A (Tc) 1,9W (Tc) Overflatemontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Utdatert
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	2,5A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	170mOhm ved 1.8A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	6.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	210 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	1,9W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	SOT-23-3 (TO-236)
Kapsling	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Baseproduktnummer	SQ2303

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 9 169

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Dette produktet er ikke lenger produsert og vil ikke lenger være lagervare etter at lageret er tømt. Vis Erstatninger.

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT)

Tape og spole (TR)