SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

SIZ300DT-T1-GE3 er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

På lager: 0

Enhetspris : kr 2,77039

Similar

onsemi

På lager: 3 000

Enhetspris : kr 10,75000

Similar

onsemi

På lager: 3 367

Enhetspris : kr 13,57000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIZ300DT-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIZ300DT-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 30V 11A, 28A 16,7W, 31W Overflatemontering 8-PowerPair®
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIZ300DT-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Utdatert
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon	2 N-kanal (halv bro)
FET-egenskap	Logikknivåport
Drain til Source-spenning	30V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	11A, 28A
Rds på (maks) ved Id, Vgs	24mOhm ved 9.8A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	12nC ved 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	400pF ved 15V
Effekt - maks	16,7W, 31W
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Overflatemontering
Kapsling	8-PowerWDFN
Leverandørens enhetsforpakning	8-PowerPair®
Baseproduktnummer	SIZ300