Name: SISS50DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS50DN-T1-GE3TR-ND
Price: 20 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SISS50DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SISS50DN-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SISS50DN-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SISS50DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SISS50DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Produsentens standard leveringstid	55 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 45 V 29,7A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2.3V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 70 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks) +20V, -16V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 4000 pF @ 20 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 5W (Ta), 65,7W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 45 V	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® 1212-8S
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 29,7A (Ta), 108A (Tc)	Kapsling PowerPAK® 1212-8S
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer SISS50
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2.83mOhm ved 15A, 10V