Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 11.3125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SISH536DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SISH536DN-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Produsentens standard leveringstid	19 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen V
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	24,7A (Ta), 67,4A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	3.25mOhm ved 10A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.2V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	25 nC @ 10 V
Vgs (maks)	+16V, -12V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1150 pF @ 15 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® 1212-8SH
Kapsling	PowerPAK® 1212-8SH

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 1 150

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)