Name: SIS892ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS892ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 20.1125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIS892ADN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIS892ADN-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SIS892ADN-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SIS892ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIS892ADN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Produsentens standard leveringstid	42 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 28A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIS892ADN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 19.5 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 550 pF @ 50 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100 V	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® 1212-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 28A (Tc)	Kapsling PowerPAK® 1212-8
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer SIS892
Rds på (maks) ved Id, Vgs 33mOhm ved 10A, 10V