Name: SIS606BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS606BDN-T1-GE3TR-ND
Price: 25.5 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIS606BDN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIS606BDN-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SIS606BDN-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SIS606BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIS606BDN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Produsentens standard leveringstid	29 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 9,4A (Ta), 35,3A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	9,4A (Ta), 35,3A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	7,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	17.4mOhm ved 10A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	30 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1470 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® 1212-8
Kapsling	PowerPAK® 1212-8
Baseproduktnummer	SIS606