Name: SIRS5100DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND
Price: 53.675 NOK
Availability: OutOfStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIRS5100DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SIRS5100DP-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SIRS5100DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIRS5100DP-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Produsentens standard leveringstid	55 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 39A (Ta), 225A (Tc) 7,4W (Ta), 240W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIRS5100DP-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 102 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 5400 pF @ 50 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 7,4W (Ta), 240W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100 V	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® SO-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 39A (Ta), 225A (Tc)	Kapsling PowerPAK® SO-8
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 7,5V, 10V	Baseproduktnummer SIRS5100
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2.5mOhm ved 20A, 10V