Name: SIR878BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR878BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 28.1375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIR878BDP-T1-RE3
DigiKeys produktnummer	SIR878BDP-T1-RE3TR-ND - Tape og spole (TR) SIR878BDP-T1-RE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SIR878BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIR878BDP-T1-RE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Produsentens standard leveringstid	29 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 12A (Ta), 42,5A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIR878BDP-T1-RE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	12A (Ta), 42,5A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	7,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	14.4mOhm ved 15A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	38 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1850 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	5W (Ta), 62,5W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® SO-8
Kapsling	PowerPAK® SO-8
Baseproduktnummer	SIR878