Name: SIR692DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR692DP-T1-RE3TR-ND
Price: 31.4625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIR692DP-T1-RE3
DigiKeys produktnummer	SIR692DP-T1-RE3TR-ND - Tape og spole (TR) SIR692DP-T1-RE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SIR692DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIR692DP-T1-RE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Produsentens standard leveringstid	42 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 250 V 24,2A (Tc) 104W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIR692DP-T1-RE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 30 nC @ 7.5 V
Serie ThunderFET®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1405 pF @ 125 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 104W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 250 V	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® SO-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 24,2A (Tc)	Kapsling PowerPAK® SO-8
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 7,5V, 10V	Baseproduktnummer SIR692
Rds på (maks) ved Id, Vgs 63mOhm ved 10A, 10V