Name: SIR632DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR632DP-T1-RE3TR-ND
Price: 24.2125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIR632DP-T1-RE3
DigiKeys produktnummer	SIR632DP-T1-RE3TR-ND - Tape og spole (TR) SIR632DP-T1-RE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SIR632DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIR632DP-T1-RE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Produsentens standard leveringstid	42 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 150 V 29A (Tc) 69,5W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIR632DP-T1-RE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 17 nC @ 7.5 V
Serie ThunderFET®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 740 pF @ 75 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 69,5W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 150 V	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® SO-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 29A (Tc)	Kapsling PowerPAK® SO-8
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 7,5V, 10V	Baseproduktnummer SIR632
Rds på (maks) ved Id, Vgs 34.5mOhm ved 10A, 10V