Name: SIR580DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR580DP-T1-RE3TR-ND
Price: 32.9125 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

SIR580DP-T1-RE3
DigiKeys produktnummer	742-SIR580DP-T1-RE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SIR580DP-T1-RE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SIR580DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIR580DP-T1-RE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Produsentens standard leveringstid	33 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 35,8A (Ta), 146A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen V
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	80 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	35,8A (Ta), 146A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	7,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	2.7mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	76 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4100 pF @ 40 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® SO-8
Kapsling	PowerPAK® SO-8

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
3 000	kr 7,69669	kr 23 090,07
6 000	kr 7,65132	kr 45 907,92

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 26,33000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 32,91250

SIR580DP-T1-RE3