Name: SIR510DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR510DP-T1-RE3TR-ND
Price: 40 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIR510DP-T1-RE3
DigiKeys produktnummer	742-SIR510DP-T1-RE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SIR510DP-T1-RE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SIR510DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIR510DP-T1-RE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Produsentens standard leveringstid	25 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 31A (Ta), 126A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 3.6mOhm ved 20A, 10V
Produsent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 81 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 4980 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 31A (Ta), 126A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® SO-8
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 7,5V, 10V	Kapsling PowerPAK® SO-8