Name: SIR410DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR410DP-T1-GE3TR-ND
Price: 20.1125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIR410DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIR410DP-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SIR410DP-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SIR410DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIR410DP-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Produsentens standard leveringstid	38 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 20 V 35A (Tc) 4,2W (Ta), 36W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2.5V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 41 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1600 pF @ 10 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 4,2W (Ta), 36W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 20 V	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® SO-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 35A (Tc)	Kapsling PowerPAK® SO-8
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer SIR410
Rds på (maks) ved Id, Vgs 4.8mOhm ved 20A, 10V