Name: SIJH5800E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH5800E-T1-GE3TR-ND
Price: 89.45 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIJH5800E-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIJH5800E-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SIJH5800E-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SIJH5800E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIJH5800E-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Produsentens standard leveringstid	33 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 30A (Ta), 302A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 8 x 8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIJH5800E-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	80 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	30A (Ta), 302A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	7,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.35mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	155 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	7730 pF @ 40 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3,3W (Ta), 333W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® 8 x 8
Kapsling	PowerPAK® 8 x 8