Name: SIHH068N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 114.1375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIHH068N60E-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SIHH068N60E-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SIHH068N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIHH068N60E-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Produsentens standard leveringstid	24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 600 V 34A (Tc) 202W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 8 x 8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIHH068N60E-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 5V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 80 nC @ 10 V
Serie E	Vgs (maks) ±30V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 2650 pF @ 100 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 202W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 600 V	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® 8 x 8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 34A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer SIHH068
Rds på (maks) ved Id, Vgs 68mOhm ved 15A, 10V