TO-247-3 AC EP
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIHG33N65E-GE3

Digi-Keys produktnummer
SIHG33N65E-GE3-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
SIHG33N65E-GE3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
Produsentens standard leveringstid
71 Uker
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 32,4A (Tc) 313W (Tc) Gjennomgående hull TO-247AC
Kundereferanse
Datablad Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg
Kategori
Produsent
Vishay Siliconix
Serie
-
Pakking
Rør
Produktstatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
32,4A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
105mOhm ved 16.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
173 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
4040 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
313W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-247AC
Kapsling
TO-247-3
Baseproduktnummer
Miljø- og eksportklassifiseringer
EgenskapBeskrivelse
RoHS-statusROHS3-kompatibel
Følsomhetsnivå for fuktighet (MSL – Moisture Sensitivity Level)1 (ubegrenset)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
500kr 45,38164kr 22 690,82
Ytterligere resurser
EgenskapBeskrivelse
Andre navn
SIHG33N65E-GE3CT
SIHG33N65E-GE3DKR-ND
SIHG33N65E-GE3TR
SIHG33N65E-GE3TR-ND
SIHG33N65E-GE3DKR
SIHG33N65E-GE3CT-ND
SIHG33N65E-GE3DKRINACTIVE
SIHG33N65E-GE3TRINACTIVE
Standardpakking500
Erstatninger (2)
DelenummerProdusent Antall tilgjengeligDigiKeys delenummerEnhetspris Type erstatning
STW34N65M5STMicroelectronics1 331497-13123-5-NDkr 106,12000Similar
APT38N60BC6Microchip Technology63APT38N60BC6-NDkr 65,38000Similar