SIHG22N50D-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

SIHG22N50D-GE3 er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Direkte

Microchip Technology

På lager: 405

Enhetspris : kr 43,92000

Similar

IXYS

På lager: 0

Enhetspris : kr 75,99000

Similar

IXYS

På lager: 0

Enhetspris : kr 0,00000

Similar

IXYS

På lager: 494

Enhetspris : kr 91,67000

Similar

IXYS

På lager: 672

Enhetspris : kr 90,36000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIHG22N50D-GE3
DigiKeys produktnummer	SIHG22N50D-GE3-ND
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIHG22N50D-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 500 V 22A (Tc) 312W (Tc) Gjennomgående hull TO-247AC
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	500 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	22A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	230mOhm ved 11A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	98 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1938 pF @ 100 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	312W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-247AC
Kapsling	TO-247-3
Baseproduktnummer	SIHG22