N-kanal 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIHD6N65E-GE3

DigiKeys produktnummer
SIHD6N65E-GE3-ND
Produsent
Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer
SIHD6N65E-GE3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Produsentens standard leveringstid
22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SIHD6N65E-GE3 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Vishay Siliconix
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
7A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
600mOhm ved 3A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
48 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
820 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
78W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-252AA
Kapsling
TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer
SIHD6
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 2 780
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 22,51000kr 22,51
75kr 10,26733kr 770,05
150kr 9,25267kr 1 387,90
525kr 7,80916kr 4 099,81
1 050kr 7,18435kr 7 543,57
2 025kr 6,68425kr 13 535,61
5 025kr 6,25352kr 31 423,94
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 22,51000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 28,13750