
SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
Produsent | |
Produsentens produktnummer | SIHD2N80AE-GE3 |
Beskrivelse | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
Produsentens standard leveringstid | 22 Uker |
Kundereferanse | |
Detaljert beskrivelse | N-kanal 800 V 2,9A (Tc) 62,5W (Tc) Overflatemontering TO-252AA |
Datablad | Datablad |
Type | Beskrivelse | Velg alle |
|---|---|---|
Kategori | ||
Produsent | ||
Serie | ||
Emballasje | Rør | |
Delestatus | Aktiv | |
FET-type | ||
Teknologi | ||
Drain til Source-spenning | 800 V | |
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C | ||
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) | 10V | |
Rds på (maks) ved Id, Vgs | 2.9Ohm ved 500mA, 10V | |
Vgs(th) (maks) ved Id | 4V ved 250µA | |
Vgs Gate-lading (Qg) (maks) | 10.5 nC @ 10 V | |
Vgs (maks) | ±30V | |
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds | 180 pF @ 100 V | |
FET-egenskap | - | |
Effekttap (maks) | 62,5W (Tc) | |
Driftstemperatur | -55°C – 150°C (TJ) | |
Grad | - | |
Godkjenning | - | |
Monteringstype | Overflatemontering | |
Leverandørens enhetsforpakning | TO-252AA | |
Kapsling | ||
Baseproduktnummer |
| Antall | Enhetspris | Utvidet pris |
|---|---|---|
| 1 | kr 16,93000 | kr 16,93 |
| 10 | kr 10,75600 | kr 107,56 |
| 100 | kr 7,21370 | kr 721,37 |
| 500 | kr 5,69628 | kr 2 848,14 |
| 1 000 | kr 5,20812 | kr 5 208,12 |
| 3 000 | kr 4,58838 | kr 13 765,14 |
| 6 000 | kr 4,27649 | kr 25 658,94 |
| 12 000 | kr 4,23315 | kr 50 797,80 |
| Enhetspris uten merverdiavgift: | kr 16,93000 |
|---|---|
| Enhetspris med merverdiavgift: | kr 21,16250 |







