N-kanal 800 V 2,9A (Tc) 62,5W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIHD2N80AE-GE3

DigiKeys produktnummer
742-SIHD2N80AE-GE3-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
SIHD2N80AE-GE3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Produsentens standard leveringstid
22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 800 V 2,9A (Tc) 62,5W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
800 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
2.9Ohm ved 500mA, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
10.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
180 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
62,5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-252AA
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 1 559
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 16,93000kr 16,93
10kr 10,75600kr 107,56
100kr 7,21370kr 721,37
500kr 5,69628kr 2 848,14
1 000kr 5,20812kr 5 208,12
3 000kr 4,58838kr 13 765,14
6 000kr 4,27649kr 25 658,94
12 000kr 4,23315kr 50 797,80
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 16,93000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 21,16250