Innstillinger
Rask levering
Gratis frakt
Incoterms
Betalingstyper
Markedsplass-produkt
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
Produsent | |
Produsentens produktnummer | SIHD2N80AE-GE3 |
Beskrivelse | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
Produsentens standard leveringstid | 22 Uker |
Kundereferanse | |
Detaljert beskrivelse | N-kanal 800 V 2,9A (Tc) 62,5W (Tc) Overflatemontering TO-252AA |
Datablad | Datablad |
Produktegenskaper
Filtrer lignende produkter
Vis tomme egenskaper
Kategori | Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 250µA |
Produsent | Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 10.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (maks) ±30V |
Emballasje Rør | Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 180 pF @ 100 V |
Delestatus Aktiv | Effekttap (maks) 62,5W (Tc) |
FET-type | Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ) |
Teknologi | Monteringstype Overflatemontering |
Drain til Source-spenning 800 V | Leverandørens enhetsforpakning TO-252AA |
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C | Kapsling |
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V | Baseproduktnummer |
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2.9Ohm ved 500mA, 10V |
Rapporter feil i produktinformasjon
Dokumenter og media
Miljø- og eksportklassifiseringer
Spørsmål og svar om produktet
Ytterligere resurser
På lager: 1 559
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
| Antall | Enhetspris | Utvidet pris |
|---|---|---|
| 1 | kr 17,59000 | kr 17,59 |
| 10 | kr 11,18900 | kr 111,89 |
| 100 | kr 7,50580 | kr 750,58 |
| 500 | kr 5,92696 | kr 2 963,48 |
| 1 000 | kr 5,41896 | kr 5 418,96 |
| 3 000 | kr 4,77410 | kr 14 322,30 |
| 6 000 | kr 4,44958 | kr 26 697,48 |
| 12 000 | kr 4,17689 | kr 50 122,68 |
| Enhetspris uten merverdiavgift: | kr 17,59000 |
|---|---|
| Enhetspris med merverdiavgift: | kr 21,98750 |
5 Varer
