N-kanal 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB33N60EF-GE3

DigiKeys produktnummer
SIHB33N60EF-GE3-ND
Produsent
Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer
SIHB33N60EF-GE3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Produsentens standard leveringstid
15 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Vishay Siliconix
Serie
-
Emballasje
Bulk
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
33A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
98mOhm ved 16.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
155 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
3454 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
278W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-263 (D2PAK)
Kapsling
TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer
SIHB33
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 966
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 79,08000kr 79,08
10kr 53,66500kr 536,65
100kr 39,27500kr 3 927,50
500kr 33,14538kr 16 572,69
1 000kr 31,26760kr 31 267,60
Produsentens standardpakking
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 79,08000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 98,85000