N-kanal 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIHB21N65EF-GE3

DigiKeys produktnummer
SIHB21N65EF-GE3-ND
Produsent
Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer
SIHB21N65EF-GE3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Produsentens standard leveringstid
22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Vishay Siliconix
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
21A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
180mOhm ved 11A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
106 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2322 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
208W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-263 (D2PAK)
Kapsling
TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer
SIHB21
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 92
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 56,67000kr 56,67
50kr 29,90140kr 1 495,07
100kr 27,31250kr 2 731,25
500kr 22,78032kr 11 390,16
1 000kr 21,95948kr 21 959,48
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 56,67000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 70,83750