Innstillinger
Rask levering
Gratis frakt
Incoterms
Betalingstyper
Markedsplass-produkt
SIHB12N50C-E3 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:
MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
SIHB12N50C-E3 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | SIHB12N50C-E3-ND - Tape og spole (TR) |
Produsent | |
Produsentens produktnummer | SIHB12N50C-E3 |
Beskrivelse | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK |
Kundereferanse | |
Detaljert beskrivelse | N-kanal 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK) |
Datablad | Datablad |
EDA-/CAD-modeller | SIHB12N50C-E3 Modeller |
Produktegenskaper
Type | Beskrivelse | Velg alle |
|---|---|---|
Kategori | ||
Produsent | ||
Serie | - | |
Emballasje | Tape og spole (TR) | |
Delestatus | Utdatert | |
FET-type | ||
Teknologi | ||
Drain til Source-spenning | 500 V | |
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C | ||
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) | 10V | |
Rds på (maks) ved Id, Vgs | 555mOhm ved 4A, 10V | |
Vgs(th) (maks) ved Id | 5V ved 250µA | |
Vgs Gate-lading (Qg) (maks) | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (maks) | ±30V | |
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds | 1375 pF @ 25 V | |
FET-egenskap | - | |
Effekttap (maks) | 208W (Tc) | |
Driftstemperatur | -55°C – 150°C (TJ) | |
Grad | - | |
Godkjenning | - | |
Monteringstype | Overflatemontering | |
Leverandørens enhetsforpakning | TO-263 (D2PAK) | |
Kapsling | ||
Baseproduktnummer |
Utfaset
Norge