N-kanal 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB11N80AE-GE3

DigiKeys produktnummer
742-SIHB11N80AE-GE3-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
SIHB11N80AE-GE3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Produsentens standard leveringstid
24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SIHB11N80AE-GE3 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
800 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
450mOhm ved 5.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
42 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
804 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
78W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-263 (D2PAK)
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 879
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 29,19000kr 29,19
10kr 18,90700kr 189,07
100kr 13,04500kr 1 304,50
500kr 10,53818kr 5 269,09
1 000kr 9,73269kr 9 732,69
2 000kr 9,05547kr 18 110,94
5 000kr 8,32324kr 41 616,20
10 000kr 8,24436kr 82 443,60
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 29,19000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 36,48750