SIHB10N40D-GE3 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

IRF740PBF
Vishay Siliconix
På lager: 9 282
Enhetspris : kr 25,88000
Datablad

Similar

IXFA12N50P
IXYS
På lager: 281
Enhetspris : kr 53,68000
Datablad

Similar

IXTA12N50P
IXYS
På lager: 0
Enhetspris : kr 51,38000
Datablad
Vis og sammenlign alle erstatninger
N-kanal 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB10N40D-GE3

DigiKeys produktnummer
SIHB10N40D-GE3-ND
Produsent
Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer
SIHB10N40D-GE3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Vishay Siliconix
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
N-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
400 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
10A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
600mOhm ved 5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
526 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
147W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-263 (D2PAK)
Kapsling
TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer
SIHB10
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.