Name: SIHB100N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB100N60E-GE3-ND
Price: 73.875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIHB100N60E-GE3
DigiKeys produktnummer	SIHB100N60E-GE3-ND
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIHB100N60E-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Produsentens standard leveringstid	25 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	E
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	30A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	100mOhm ved 13A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	50 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1851 pF @ 100 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	208W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	TO-263 (D2PAK)
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	SIHB100

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 938

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 59,10000	kr 59,10
50	kr 31,18220	kr 1 559,11
100	kr 28,48150	kr 2 848,15
500	kr 23,75414	kr 11 877,07
1 000	kr 22,89115	kr 22 891,15

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.