Name: SIDR626EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR626EP-T1-RE3TR-ND
Price: 55.325 NOK
Availability: OutOfStock

SIDR626EP-T1-RE3
DigiKeys produktnummer	742-SIDR626EP-T1-RE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SIDR626EP-T1-RE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SIDR626EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIDR626EP-T1-RE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Produsentens standard leveringstid	55 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 50,8A (Ta), 227A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8DC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIDR626EP-T1-RE3 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	50,8A (Ta), 227A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	7,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1,74mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	102 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	5130 pF @ 30 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	7,5W (Ta), 150W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® SO-8DC
Kapsling	PowerPAK® SO-8

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 44,26000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 55,32500

SIDR626EP-T1-RE3